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AG200N06S-Q1

更新时间： 2024-11-07 18:07:03

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TO-263AB

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AG200N06S-Q1 数据手册

AG200N06S-Q1

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Product Summary

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

2.9mΩ@10V

I_D

60V

200A

Feature

Application



High density cell design for low Rdson

Split Gate Trench MOSFET technology



Consumer electronic power supply

Isolated DC-DC converters

Motor control

Excellent package for good heat dissipation

Suffix "-Q1" for AEC-Q101

Invertors

Package

Circuit diagram

TO-263AB

Marking

G200N06

XXXXX

Document ID

AS-1150333

Issued Date

2018/03/08

Revised Date

2021/05/18

Revision

Page.

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