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ADC11DV200CISQ/NOPB PDF预览

ADC11DV200CISQ/NOPB

更新时间： 2024-11-25 11:10:55
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 转换器模数转换器
页数 文件大小 规格书
30页 696K
描述
双通道、11 位、200MSPS 模数转换器 (ADC) | NKA | 60 | -40 to 85

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ADC11DV200CISQ/NOPB 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：QFN
包装说明：HVQCCN, LCC60,.35SQ,20针数：60
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.21
最大模拟输入电压：1 V最小模拟输入电压：-1.5 V
最长转换时间：0.005 µs转换器类型：ADC, PROPRIETARY METHOD
JESD-30 代码：S-PQCC-N60JESD-609代码：e3
长度：9 mm最大线性误差 (EL)：0.0732%
湿度敏感等级：3模拟输入通道数量：2
位数：11功能数量：1
端子数量：60最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出位码：OFFSET BINARY, 2'S COMPLEMENT BINARY
输出格式：PARALLEL, WORD封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：HVQCCN封装等效代码：LCC60,.35SQ,20
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：1.8 V
认证状态：Not Qualified采样速率：200 MHz
采样并保持/跟踪并保持：SAMPLE座面最大高度：0.8 mm
子类别：Analog to Digital Converters最大压摆率：41 mA
标称供电电压：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：9 mm
Base Number Matches：1

ADC11DV200CISQ/NOPB 数据手册

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ADC11DV200  
www.ti.com  
SNAS477A –APRIL 2009–REVISED APRIL 2013  
ADC11DV200 Dual 11-bit, 200 MSPS Low-Power A/D Converter with Parallel LVDS/CMOS  
Outputs  
Check for Samples: ADC11DV200  
1
FEATURES  
DESCRIPTION  
The ADC11DV200 is a monolithic analog-to-digital  
converter capable of converting two analog input  
signals into 11-bit digital words at rates up to 200  
Mega Samples Per Second (MSPS). The digital  
output mode is selectable and can be either  
differential LVDS or CMOS signals. This converter  
uses a differential, pipelined architecture with digital  
error correction and an on-chip sample-and-hold  
circuit to minimize die size and power consumption  
while providing excellent dynamic performance. A  
unique sample-and-hold stage yields a full-power  
bandwidth of 900MHz. Fabricated in core CMOS  
process, the ADC11DV200 may be operated from a  
single 1.8V power supply. The ADC11DV200  
achieves approximately 10.06 effective bits at Nyquist  
and consumes just 280mW at 170MSPS in CMOS  
mode 450mW at 200MSPS in LVDS mode. The  
power consumption can be scaled down further by  
reducing sampling rates.  
2
•
Single 1.8V Power Supply Operation.  
Power Scaling with Clock Frequency.  
Internal Sample-and-Hold.  
•
•
•
•
•
Internal or External Reference.  
Power Down Mode.  
Offset Binary or 2's Complement Output Data  
Format.  
•
•
LVDS or CMOS Output Signals.  
60-Pin WQFN Package, (9x9x0.8mm, 0.5mm  
Pin-Pitch)  
•
•
Clock Duty Cycle Stabilizer.  
IF Sampling Bandwidth > 900MHz.  
APPLICATIONS  
•
•
•
•
•
Digital Predistortion (DPD)  
Wireless Communications Infrastructure  
Medical Imaging  
Portable Instrumentation  
Digital Video  
KEY SPECIFICATIONS  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Resolution: 11 Bits  
Conversion Rate: 200 MSPS  
ENOB: 10.06 bits (typ) @Fin=70 MHz  
SNR: 62.5 dBFS (typ) @Fin=70 MHz  
SINAD: 62.3 dBFS (typ) @Fin=70 MHz  
SFDR: 82 dBFS (typ) @Fin=70 MHz  
LVDS: Power 450 mW (typ) @Fs=200 MSPS  
CMOS: Power 280 mW (typ) @Fs=170 MSPS  
Operating Temp. Range: −40°C to +85°C.  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
2
All trademarks are the property of their respective owners.  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2009–2013, Texas Instruments Incorporated  
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ADC11DV200CISQ/NOPB 替代型号

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