Datasheet > AD30N10S

AD30N10S

更新时间： 2024-11-06 18:06:55

品牌	Logo	应用领域
安邦 - ANBON		/
页数	文件大小	规格书
5页	876K
描述
TO-252AB

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AD30N10S 数据手册

AD30N10S

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Product Summary

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

32mΩ@10V

35mΩ@4.5V

I_D

100V

30A

Feature

Application



High density cell design for ultra low Rdson



High current load applications

Load switching

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stability and uniformity with high E_AS

Excellent package for good heat dissipation

Hard switched and high frequency circuits

Uninterruptible power suppl

Package

Circuit diagram

TO-252AB

Marking

D30N10

XXXXX

Document ID

AS-3150307

Issued Date

2003/03/08

Revised Date

2020/05/16

Revision

Page.

Page 1

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与AD30N10S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AD30N10S-Q1	ANBON	获取价格	TO-252AB
AD30P03S	ANBON	获取价格	TO-252AB
AD30P03S-Q1	ANBON	获取价格	TO-252AB
AD30P05S	ANBON	获取价格	TO-252AB
AD30P05S-Q1	ANBON	获取价格	TO-252AB
AD30P06S	ANBON	获取价格	TO-252AB
AD30P10ES	ANBON	获取价格	TO-252AB
AD30P10S	ANBON	获取价格	TO-252AB
AD310-25	ALPHA	获取价格	GaAs IC Bit Digital Attenuator 1 dB LSB DC-2 GHz
AD311	RFHIC	获取价格	E-pHEMT MMIC