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AD30P10ES

更新时间: 2024-10-31 18:07:07
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安邦 - ANBON /
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5页 1141K
描述
TO-252AB

AD30P10ES 数据手册

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AD30P10ES  
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET  
Product Summary  
V(BR)DSS  
RDS(on)MAX  
58mΩ@-10V  
65mΩ@-4.5V  
ID  
-100V  
-30A  
Feature  
Application  
High density cell design for ultra low Rdson  
Portable equipment and battery powered systems  
DC/DC converters  
Fully characterized avalanche voltage and current  
Good stability and uniformity with high EAS  
Excellent package for good heat dissipation  
Package  
Circuit diagram  
TO-252AB  
Marking  
D30P10E  
XXXXX  
Document ID  
AS-3150308  
Issued Date  
2003/03/08  
Revised Date  
2021/05/18  
Revision  
B
Page.  
5
Page 1  

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