AA1A3Q

更新时间： 2024-10-16 21:55:03

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日电电子 - NEC		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	85K
描述
On-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor For mid-speed switching

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AA1A3Q 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	6000 ns
最大开启时间（吨）：	200 ns	Base Number Matches：	1

AA1A3Q 数据手册

DATA SHEET

COMPOUND TRANSISTOR

AA1A3Q

on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor

For mid-speed switching

FEATURES

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

•

On-chip bias resistor

(R¹= 1.0 kΩ, R²= 10 kΩ)

•

Complementary transistor with AN1A3Q

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C(DC)

I^C(pulse)*

P^T

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (Pulse)

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

100

°C

200

250

T^j

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50 %

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)

Parameter

Collector cutoff current

DC current gain

Symbol

I^CBO

Conditions

V^CB= 50 V, I^E= 0

MIN.

TYP.

MAX.

100

Unit

−

h^FE1**

h^FE2**

V^CE(sat)**

V^IL**

V^IH**

V^CE= 5.0 V, I^C= 5.0 mA

V^CE= 5.0 V, I^C= 50 mA

I^C= 5.0 mA, I^B= 0.25 mA

V^CE= 5.0 V, I^C= 100 µA

230

0.05

0.7

1.0

100

−

DC current gain

Collector saturation voltage

Low level input voltage

High level input voltage

Input resistance

0.2

0.9

V^CE= 0.2 V, I^C= 5.0 mA

2.0

0.7

kΩ

µs

1.3

E-to-B resistance

V^CC= 5 V, R^L= 1 kΩ

V^I= 5 V, PW = 2 µs

duty cycle≤2 %

Turn-on time

Storage time

Turn-off time

t^on

0.2

5.0

6.0

t^stg

t^off

** PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16159EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AA1A3Q-A	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
AA1A4M	NEC	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR
AA1A4M-A	RENESAS	获取价格	AA1A4M-A
AA1A4P	NEC	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR
AA1A4P-A	RENESAS	获取价格	AA1A4P-A
AA1A4Z	NEC	获取价格	COMPOUND TRANSISTOR
AA1A4Z-A	NEC	获取价格	暂无描述
AA1A4ZK	RENESAS	获取价格	AA1A4ZK
AA1A4Z-K	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
AA1A4ZP	RENESAS	获取价格	AA1A4ZP

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