AA1A4Z

更新时间： 2024-10-16 21:55:07

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日电电子 - NEC		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
4页	84K
描述
COMPOUND TRANSISTOR

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AA1A4Z 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.52	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	600 ns
最大开启时间（吨）：	200 ns	Base Number Matches：	1

AA1A4Z 数据手册

DATA SHEET

COMPOUND TRANSISTOR

AA1A4Z

on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor

For mid-speed switching

FEATURES

PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)

•

On-chip bias resistor

(R¹= 10 kΩ)

•

Complementary transistor with AN1A4Z

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C(DC)

I^C(pulse)*

P^T

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (Pulse)

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

100

°C

200

250

T^j

150

−55 to +150

T^stg

* PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50 %

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)

Parameter

Collector cutoff current

DC current gain

Symbol

I^CBO

Conditions

V^CB= 50 V, I^E= 0

MIN.

TYP.

MAX.

100

Unit

−

h^FE1**

h^FE2**

V^CE(sat)**

V^IL**

V^IH**

R¹

V^CE= 5.0 V, I^C= 5.0 mA

V^CE= 5.0 V, I^C= 50 mA

I^C= 5.0 mA, I^B= 0.25 mA

V^CE= 5.0 V, I^C= 100 µA

V^CE= 0.2 V, I^C= 5.0 mA

135

100

340

300

0.04

0.55

0.8

600

−

DC current gain

Collector saturation voltage

Low level input voltage

High level input voltage

Input resistance

0.2

0.5

2.0

7.0

kΩ

µs

13.0

0.2

5.0

6.0

V^CC= 5.0 V, R^L= 1.0 kΩ

V^I= 5.0 V, PW = 2.0 µs

duty cycle≤2 %

Turn-on time

t^on

Storage time

t^stg

Turn-off time

t^off

** Pulse test PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %

h^FECLASSIFICATION

Marking

h^FE1

135 to 270

200 to 400

300 to 600

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16160EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published April 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4

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与AA1A4Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AA1A4Z-A	NEC	获取价格	暂无描述
AA1A4ZK	RENESAS	获取价格	AA1A4ZK
AA1A4Z-K	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
AA1A4ZP	RENESAS	获取价格	AA1A4ZP
AA1A4Z-P	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
AA1A4ZQ	RENESAS	获取价格	AA1A4ZQ
AA1A4Z-Q	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
AA1-B0-12-615-1B2-C	Carling Technologies	获取价格	Magnetic Circuit Breaker, 1 Pole(s), 15A, 277VAC, 80VDC, Panel Mount-threaded,
AA1-B0-21-630-3B1-C	Carling Technologies	获取价格	Magnetic Circuit Breaker
AA1-B0-24-450-1B1-C	Carling Technologies	获取价格	Magnetic Circuit Breaker

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