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A62S6316V-55SI

更新时间： 2024-11-06 22:38:55

品牌	Logo	应用领域
联笙电子 - AMICC		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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15页	151K
描述
64K X 16 BIT LOW VOLTAGE CMOS SRAM

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A62S6316V-55SI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	TSOP2, TSOP44,.46,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.54	最长访问时间：	55 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	长度：	18.41 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	64KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.00002 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.05 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

A62S6316V-55SI 数据手册

A62S6316 Series

Preliminary

64K X 16 BIT LOW VOLTAGE CMOS SRAM

Document Title

64K X 16 BIT LOW VOLTAGE CMOS SRAM

Revision History

Rev. No. History

Issue Date

Remark

0.0

Initial issue

October 8, 1998

Preliminary

0.1

Change access times from 70/100 ns to 55/70 ns(max.)

Change dynamic operating current from 80/70mA to 40mA

Modify TSOP 44L (Type II) package outline drawing

Modify truth table

February 12, 1999

0.2

0.3

0.4

June 9, 1999

Change dynamic operating current from 40mA to 50mA(max.)

Modify TSOP 44L (Type II) package outline drawing and

Dimensions

June 21, 1999

November 9, 1999

0.5

Add mini BGA package outline dimensions symbol E2 min.

and max.

August 12, 2002

PRELIMINARY

(August, 2002, Version 0.5)

AMIC Technology, Inc.

12 3 4 5 6 7...15

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