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A42U2604V-80U

更新时间: 2024-10-27 22:06:35
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联笙电子 - AMICC /
页数 文件大小 规格书
25页 267K
描述
4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

A42U2604V-80U 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP2, TSOP24/26,.36Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:80 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G24
JESD-609代码:e0长度:17.14 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:4MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP24/26,.36
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES最大待机电流:0.0005 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.06 mA
最大供电电压 (Vsup):2.75 V最小供电电压 (Vsup):2.25 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mm

A42U2604V-80U 数据手册

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A42U2604 Series  
AC Characteristics (continued) (VCC = 2.5V ± 10%, VSS = 0V, Ta = 0°C to +70°C or -40°C to +85°C)  
Test Conditions:  
Input timing reference level: VIH/VIL=1.8V/0.8V  
Output reference level: VOH/VOL=1.6V/0.8V  
Output Load: 1TTL gate + CL (100pF)  
Assumed tT=2ns  
Std  
-50  
-60  
-80  
#
Symbol  
Parameter  
Unit Notes  
Min. Max. Min. Max. Min. Max.  
Column Address to WE Delay Time  
(Read-Modify-Write)  
39  
tAWD  
37  
-
45  
-
62  
-
ns  
11  
40  
41  
42  
tOEH  
tOEP  
tPC  
8
5
-
-
-
10  
5
-
-
-
14  
5
-
-
-
ns  
ns  
ns  
OE Hold Time from WE  
OE High Pulse Width  
Read or Write Cycle Time (EDO Page)  
20  
24  
32  
13  
12  
Access Time from CAS Precharge  
(EDO Page)  
43  
tCPA  
-
23  
-
27  
-
36  
ns  
44  
45  
tCP  
8
-
-
10  
59  
-
-
14  
79  
-
-
ns  
ns  
CAS Precharge Time (EDO Page)  
EDO Page Mode RMW Cycle Time  
tPCM  
50  
EDO Page Mode CAS Pulse Width  
(RMW)  
46  
tCRW  
38  
-
45  
-
61  
-
ns  
47  
48  
49  
tRASP  
tCSR  
tCHR  
50  
5
100K  
60  
5
100K  
80  
5
100K  
ns  
ns  
ns  
RAS Pulse Width (EDO Page)  
-
-
-
-
-
-
3
3
CAS Setup Time ( CAS -before-RAS )  
CAS Hold Time ( CAS -before-RAS )  
10  
10  
15  
RAS to CAS Precharge Time  
( CAS -before-RAS )  
50  
tRPC  
5
-
5
-
5
-
ns  
51  
52  
tOEZ  
-
3
-
-
5
-
-
10  
-
ns  
8
Output Buffer Turn-off Delay from OE  
tRASS  
100  
100  
100  
ms  
RAS pulse width ( -B- self-refresh)  
C
R
RAS precharge time  
53  
54  
tRPS  
tCHS  
84  
-
-
100  
-50  
-
-
132  
-50  
-
-
ns  
ns  
(
-B- self-refresh)  
R
C
-50  
CAS hold time ( -B- self-refresh)  
C
R
PRELIMINARY  
(June, 2002, Version 0.3)  
8
AMIC Technology, Inc.  

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