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Datasheet > 存储 > DRAM> A42U2604V-80U
A42U2604V-80U PDF预览

A42U2604V-80U

更新时间： 2024-02-20 05:37:06
品牌 Logo 应用领域
联笙电子 - AMICC /
页数 文件大小 规格书
25页 267K
描述
4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

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A42U2604V-80U 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSOP2, TSOP24/26,.36Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：80 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G24
JESD-609代码：e0长度：17.14 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：4功能数量：1
端口数量：1端子数量：24
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4MX4
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP24/26,.36
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：2.5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：2048座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES最大待机电流：0.0005 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)：2.75 V最小供电电压 (Vsup)：2.25 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：7.62 mm

A42U2604V-80U 数据手册

 浏览型号A42U2604V-80U的Datasheet PDF文件第3页浏览型号A42U2604V-80U的Datasheet PDF文件第4页浏览型号A42U2604V-80U的Datasheet PDF文件第5页浏览型号A42U2604V-80U的Datasheet PDF文件第7页浏览型号A42U2604V-80U的Datasheet PDF文件第8页浏览型号A42U2604V-80U的Datasheet PDF文件第9页 
A42U2604 Series  
Absolute Maximum Ratings*  
*Comments  
Stresses above those listed under "Absolute Maximum  
Ratings" may cause permanent damage to this device.  
These are stress ratings only. Functional operation of  
this device at these or any other conditions above  
those indicated in the operational sections of these  
specification is not implied or intended. Exposure to  
the absolute maximum rating conditions for extended  
periods may affect device reliability.  
Input Voltage (Vin) . . . . . . . . . . . . . . . -0.5V to VCC+0.5V  
Output Voltage (Vout) . . . . . . . . . . . . . -0.5V to VCC+0.5V  
Power Supply Voltage (VCC) . . . . . . . -0.5V to VCC+0.5V  
Operating Temperature (TOPR) . . . . . . . . . . 0°C to +70°C  
Storage Temperature (TSTG) . . . . . . . . . -55°C to +150°C  
Soldering Temperature X Time (TSOLDER) . . . . . . . . . . . . . .  
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260°C X 10sec  
Power Dissipation (PD) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W  
Short Circuit Output Current (Iout) . . . . . . . . . . . . . . 50mA  
Latch-up Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA  
DC Electrical Characteristics (VCC = 2.5V ± 10%, VSS = 0V, Ta = 0°C to +70°C or -40°C to +85°C)  
-50  
-60  
-80  
Symbol  
Parameter  
Unit  
Test Conditions  
Notes  
Min. Max. Min. Max. Min. Max.  
IIL  
Input Leakage  
Current  
-5  
+5  
-5  
+5  
-5  
+5  
mA  
0V £ Vin £ Vin + 0.2V  
Pins not under  
Test = 0V  
IOL  
Output Leakage  
Current  
-5  
-
+5  
70  
-5  
-
+5  
65  
-5  
-
+5  
60  
DOUT disabled,  
0V £ Vout £ + VCC  
mA  
ICC1  
Operating Power  
Supply Current  
mA  
1, 2  
RAS ,  
,
UCAS LCAS  
Address cycling; tRC = min.  
ICC2  
ICC3  
TTL Standby Power  
Supply Current  
-
-
0.5  
70  
-
-
0.5  
65  
-
-
0.5  
60  
mA  
mA  
RAS =  
=
=VIH  
UCAS LCAS  
Average Power  
Supply Current,  
1
1, 2  
1
RAS cycling,  
=
= VIH,  
UCAS LCAS  
RAS Refresh Mode  
tRC = min.  
ICC4  
ICC5  
EDO Page Mode  
Average Power  
Supply Current  
-
-
70  
70  
-
-
65  
65  
-
-
60  
60  
mA  
mA  
RAS = VIL,  
,
Address  
UCAS LCAS  
cycling; tPC = min.  
CAS -before-RAS  
Refresh Power  
Supply Current  
RAS ,  
,
UCAS LCAS  
cycling; tRC = min.  
ICC6  
ICC7  
CMOS Standby  
Power Supply  
Current  
-
-
0.2  
-
-
0.2  
-
-
0.2  
mA  
µA  
RAS =  
=
=
UCAS LCAS  
VCC - 0.2V  
Self Refresh Mode  
Current  
300  
300  
300  
RAS =  
£ VSS+0.2V  
CAS  
All other input high levels  
are VCC-0.2V or input low  
levels are VSS +0.2V  
VOH  
VOL  
2.0  
-
-
2.0  
-
-
2.0  
-
-
V
V
IOUT = -2mA  
IOUT = 2mA  
Output Voltage  
0.4  
0.4  
0.4  
PRELIMINARY  
(June, 2002, Version 0.3)  
5
AMIC Technology, Inc.  
1...3456789...25

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