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TC7SET86FUTE85L

更新时间： 2024-02-29 23:00:26
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 栅输入元件光电二极管逻辑集成电路石英晶振触发器
页数 文件大小 规格书
6页 172K
描述
IC HC/UH SERIES, 2-INPUT XOR GATE, PDSO5, SSOP-5, Gate

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TC7SET86FUTE85L 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：End Of Life
零件包装代码：SSOP包装说明：SSOP-5
针数：5Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.46
Is Samacsys：N系列：HC/UH
JESD-30 代码：R-PDSO-G5JESD-609代码：e0
长度：2 mm负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：XOR GATE最大I（ol）：0.008 A
功能数量：1输入次数：2
端子数量：5最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP5/6,.08
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法：TAPE AND REEL电源：5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：11.5 ns传播延迟（tpd）：11.8 ns
认证状态：Not Qualified施密特触发器：NO
座面最大高度：1.1 mm子类别：Gates
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
宽度：1.25 mmBase Number Matches：1

TC7SET86FUTE85L 数据手册

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TC7SET86F/FU  
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic  
TC7SET86F, TC7SET86FU  
Exclusive OR Gate  
Features  
TC7SET86F  
•
High speed  
: t = 5.2 ns (typ.)  
pd  
at V  
= 5 V, C = 15pF  
L
CC  
•
•
Low power dissipation  
: ICC = 2μA (max) at Ta = 25°C  
Compatible with TTL outputs. : VIL = 0.8V (max)  
LH = 2.0V (min)  
V
•
•
5.5-V tolerant inputs.  
Balanced propagation delays : tpLH ≈ tpHL  
(SMV)  
TC7SET86FU  
Marking  
Product Name  
G 8  
(USV)  
Weight  
SSOP5-P-0.95  
SSOP5-P-0.65A  
: 0.016 g (typ.)  
: 0.006 g (typ.)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Supply voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
Pin Assignment (top view)  
V
−0.5 to 7.0  
−0.5 to 7.0  
V
V
CC  
DC input voltage  
V
IN  
IN B  
IN A  
GND  
1
2
3
5
V
CC  
DC output voltage  
Input diode current  
Output diode current  
DC output current  
V
−0.5 to V  
+0.5  
V
OUT  
CC  
I
−20  
mA  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
IK  
I
±20 (Note 1)  
±25  
OK  
I
OUT  
4
OUT Y  
DC V /ground current  
CC  
I
±50  
CC  
Power dissipation  
P
200  
D
Storage temperature  
Lead temperature (10s)  
T
stg  
−65 to150  
260  
T
°C  
L
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if  
the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings and the operating ranges.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report  
and estimated failure rate, etc).  
Note 1: VOUT < GND,VOUT > VCC  
Start of commercial production  
1999-06  
1
2014-03-01  
123456

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