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TC7SG08AFS

更新时间： 2024-02-09 05:47:50

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东芝 - TOSHIBA		栅极逻辑集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	176K
描述
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic

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TC7SG08AFS 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	End Of Life
零件包装代码：	SSOP	包装说明：	TSSOP, TSSOP5/6,.08
针数：	5	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.61
系列：	LVP	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
JESD-609代码：	e0	长度：	2 mm
负载电容（CL）：	30 pF	逻辑集成电路类型：	AND GATE
最大I（ol）：	0.0003 A	功能数量：	1
输入次数：	2	端子数量：	5
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP5/6,.08	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	电源：	1.2/3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：	63.2 ns	传播延迟（tpd）：	63.2 ns
认证状态：	Not Qualified	施密特触发器：	NO
座面最大高度：	1.1 mm	子类别：	Gates
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	0.9 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	1.25 mm	Base Number Matches：	1

TC7SG08AFS 数据手册

TC7SG08AFS

TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic

TC7SG08AFS

2 Input AND Gate

Features

•

High-level output current:

I /I = ±8 mA (min)

OH OL

at V

= 3.0 V

•

High-speed operation: t = 2.5 ns (typ.)

at V

= 3.3 V,15pF

•

Operating voltage range: V

5.5-V tolerant inputs.

= 0.9~3.6 V

SON5-P-0.35

(fSV)

Weight: 0.001 g (typ.)

Marking

Pin Assignment (top view)

Product name

IN A

GND

IN B

W 2

OUT Y

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Power supply voltage

Symbol

Value

Unit

−0.5~4.6

−0.5~7.0

DC input voltage

DC output voltage

Input diode current

Output diode current

DC output current

−0.5~ V

+ 0.5

OUT

−20

°C

±20 (Note 1)

±25

OUT

DC V /ground current

±50

Power dissipation

Storage temperature

−65~150

stg

Note:

Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly

even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute

maximum ratings and the operating ranges.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Note 1:

OUT

< GND, V > V

OUT CC

2007-11-01

12 3 4 5 6

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