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TC7SG00AFS

更新时间： 2024-02-01 17:52:11

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东芝 - TOSHIBA		栅极触发器逻辑集成电路光电二极管
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6页	175K
描述
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic

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TC7SG00AFS 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SON	包装说明：	VSOF, FL6,.047,20
针数：	5	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.78	系列：	LVP
JESD-30 代码：	R-PDSO-F5	JESD-609代码：	e0
长度：	1.6 mm	负载电容（CL）：	30 pF
逻辑集成电路类型：	NAND GATE	最大I（ol）：	0.0003 A
功能数量：	1	输入次数：	2
端子数量：	5	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VSOF	封装等效代码：	FL6,.047,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
电源：	1.2/3.3 V	Prop。Delay @ Nom-Sup：	63.2 ns
传播延迟（tpd）：	63.2 ns	认证状态：	Not Qualified
施密特触发器：	NO	座面最大高度：	0.6 mm
子类别：	Gates	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	0.9 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	1.2 mm
Base Number Matches：	1

TC7SG00AFS 数据手册

TC7SG00AFS

TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic

TC7SG00AFS

2 Input NAND Gate

Features

•

High-level output current:

I /I = ±8 mA (min)

OH OL

at V

= 3.0 V

•

High-speed operation: t = 2.5 ns (typ.)

at V

= 3.3 V,15pF

•

Operating voltage range: V

5.5-V tolerant inputs.

= 0.9~3.6 V

SON5-P-0.35

(fSV)

Weight: 0.001 g (typ.)

Marking

Pin Assignment (top view)

Product name

IN A

GND

IN B

W 1

OUT Y

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Power supply voltage

Symbol

Value

Unit

−0.5~4.6

−0.5~7.0

DC input voltage

DC output voltage

Input diode current

Output diode current

DC output current

−0.5~ V

+ 0.5

OUT

−20

°C

±20 (Note 1)

±25

OUT

DC V /ground current

±50

Power dissipation

Storage temperature

−65~150

stg

Note:

Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly

even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute

maximum ratings and the operating ranges.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Note 1:

OUT

< GND, V > V

OUT CC

2007-11-01

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