2SB0938A

更新时间： 2024-02-24 04:44:42

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描述
For Power Amplification And Switching

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2SB0938A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	15 MHz
Base Number Matches：	1

2SB0938A 数据手册

Power Transistors

2SB0938 (2SB938), 2SB0938A (2SB938A)

Silicon PNP epitaxial planar type Darlington

Unit: mm

8.5 0.2

3.4 0.3

For power amplification and switching

6.0 ^0.2

1.0 0.1

Complementary to 2SD1261, 2SD1261A

■ Features

• High forward current transfer ratio h_FE

0 to 0.4

• High-speed switching

R = 0.5

1.0 ^0.1

0.8 0.1

• N type package enabling direct soldering of the radiating fin to the

printed circuit board, etc. of small electronic equipment.

2.54 0.3

1.4 0.1

0.4 0.1

5.08 0.5

(8.5)

(6.0)

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

1.3

Parameter

Symbol

Rating

−60

Unit

2SB0938

2SB0938A

2SB0938

2SB0938A

V_CBO

Collector-base voltage

(Emitter open)

−80

(6.5)

V_CEO

−60

Collector-emitter voltage

(Base open)

1: Base

2: Collector

3: Emitter

−80

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−5

N-G1 Package

Collector current

I_C

I_CP

P_C

−4

Note) Self-supported type package is also prepared.

Peak collector current

Collector power dissipation

−8

Internal Connection

T_a= 25°C

1.3

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

−60

−80

Typ

Max

Unit

2SB0938

V_CEO

I_C= −30 mA, I_B= 0

Collector-emitter voltage

(Base open)

2SB0938A

Base-emitter voltage

V_BE

I_CBO

V_CE= −3 V,I_C= −3 A

V_CB= −60 V,I_E= 0

V_CB= −80 V,I_E= 0

V_CE= −30 V,I_B= 0

V_CE= −40 V,I_B= 0

V_EB= −5 V,I_C= 0

−2.5

−200

−500

−2

2SB0938

2SB0938A

2SB0938

2SB09378

µA

Collector-base cutoff

current (Emitter open)

I_CEO

µA

Collector-emitter cutoff

current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_EBO

h_FE1

V_CE= −3 V, I_C= −0.5 A

V_CE= −3 V, I_C= −3 A

1000

2000



h_FE2

10 000

−2

Collector-emitter saturation voltage

V_CE(sat)I_C= −3 A, I_B= −12 mA

I_C= −5 A, I_B= −20 mA

−4

Transition frequency

Turn-on time

Strage time

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= −10 V, I_C= −0.5 A, f = 1 MHz

0.3

MHz

µs

I_C= −3 A,

I_B1= −12 mA, I_B2= 12 mA

V_CC= −50 V

µs

Fall time

0.5

µs

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

h_FE1

2000 to 5000 4000 to 10000

Publication date: March 2003

SJD00019BED

12 3

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