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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SB0792A
2SB0792A PDF预览

2SB0792A

更新时间： 2024-01-04 08:46:11
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
2页 40K
描述
Silicon PNP epitaxial planer type

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2SB0792A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：150 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：185
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

2SB0792A 数据手册

 浏览型号2SB0792A的Datasheet PDF文件第2页 
Transistor  
2SB792, 2SB792A  
Silicon PNP epitaxial planer type  
For high breakdown voltage low-noise amplification  
Complementary to 2SD814  
Unit: mm  
2.8 +–00..32  
0.65±0.15  
1.5 –+00..0255  
0.65±0.15  
Features  
High collector to emitter voltage VCEO  
■
●
.
●
●
Low noise voltage NV.  
1
2
Mini type package, allowing downsizing of the equipment and  
automatic insertion through the tape packing and the magazine  
packing.  
3
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
Ratings  
–150  
–185  
–150  
–185  
–5  
Unit  
Collector to  
2SB792  
2SB792A  
2SB792  
0.1 to 0.3  
VCBO  
V
0.4±0.2  
base voltage  
Collector to  
VCEO  
V
emitter voltage 2SB792A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
VEBO  
ICP  
IC  
V
mA  
mA  
mW  
˚C  
1:Base  
2:Emitter  
JEDEC:TO–236  
EIAJ:SC–59  
–100  
–50  
3:Collector  
Mini Type Package  
(2SB792)  
Marking symbol : I  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
200  
(2SB792A)  
2F  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
˚C  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
Collector cutoff current  
VCB = –100V, IE = 0  
–1  
µA  
Collector to emitter 2SB792  
–150  
–185  
–5  
VCEO  
VEBO  
IC = –100µA, IB = 0  
IE = –10µA, IC = 0  
V
V
voltage  
2SB792A  
Emitter to base voltage  
Forward current  
transfer ratio  
2SB792  
130  
130  
450  
330  
–1  
*
hFE  
VCE = –5V, IC = –10mA  
2SB792A  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = –30µA, IB = –3mA  
V
MHz  
pF  
Transition frequency  
fT  
VCB = –10V, IE = 10mA, f = 200MHz  
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz  
VCE = –10V, IC = –1mA, GV = 80dB,  
Rg = 100kΩ, Function = FLAT  
200  
4
Collector output capacitance  
Cob  
Noise voltage  
NV  
150  
mV  
*hFE Rank classification  
Rank  
hFE  
R
S
T
130 ~ 220  
IR  
185 ~ 330  
IS  
260 ~ 450  
2SB792  
IT  
—
Marking  
Symbol  
2SB792A  
2FR  
2FS  
1
12

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