2N7002K

更新时间： 2024-02-06 05:29:12

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美微科 - MCC		晶体晶体管开关光电二极管 PC
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7页	381K
描述
N-Channel MOSFET

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2N7002K 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	260
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

2N7002K 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

2N7002K

Features

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

•

Moisture Sensitivity Level 1

High density cell design for low RDS(ON)

•

Voltage controlled small signal switch

Rugged and reliable

High saturation current capability

Marking : 72K

ESD Protected up to 2KV (HBM)

N-Channel MOSFET

•

Maximum Ratings @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

V_DS

I_D

Rating

Drain-source Voltage

Drain Current

Rating

340

350

-55 to +150

Unit

SOT-23

ꢀ

P_D

T_J

Total Power Dissipation

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

1.GATE

T_STG

2. SOURCE

3. DRAIN

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

V_(BR)DSS

Parameter

Drain-Source Breakdown Voltage

(V_GS=0Vdc, I_D=10µAdc)

Gate-Threshold Voltage

(V_DS=V_GS, I_D=1mAdc)

Min

Typ

Max

Units

---

Vdc

V_GS(th)

I_GSS

1.0

---

Vdc

Gate-body Leakage

---

ꢀ200

ꢀ100

nAdc

(V_DS=0Vdc, V_GS=ꢀ10Vdc)

(V_DS=0Vdc, V_GS=ꢀ5Vdc)

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain Current

(V_DS=48Vdc, V_GS=0Vdc)

---

uAdc

DIMENSIONS

r_DS(on)

Drain-Source On-Resistance

(V_GS=4.5Vdc, I_D=200mAdc)

(V_GS=10Vdc, I_D=500mAdc)

INCHES

MIN

---

5.3

5.0

Ω

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

V_SD

Diode Forward Voltage

(V_GS=0Vdc, I_S=300mAdc)

---

1.5

---

Vdc

Recovered charge

(VGS=0V, IS=300mA,VR=25V,)

(dl_s/dt=-100A/µS)

Input Capacitance

.100

1.12

.180

.51

.085

.37

C_iss

C_OSS

C_rSS

---

V_DS=10Vdc,

_GS=0Vdc

Output Capacitance

Reverse Transfer

Capacitance

f=1MHz

Suggested Solder

Pad Layout

---

Switching

.031

.800

V_DD=50 V, R_L=250Ω,

t_d(on)

t_d(off)

Turn-on Time

---

R_GS=50Ω,V_GS=10 V,

.035

Turn-off Time

.900

R_G=50Ω

.079

2.000

V_{GS=0V, IS=300mA,}

VR=25V,

Reverse

recovery

time

inches

t_rr

---

dl_s/dt=-100A/µS

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

1 of 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N7002K *	NCEPOWER	新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE	获取价格
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