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2N6620

更新时间： 2024-01-23 09:19:14

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体放大器晶体管射频
页数	文件大小	规格书
4页	94K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR FOR LOW NOISE RF BROADBAND AMPLIFIER

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2N6620 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.68	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	125 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	3600 MHz
Base Number Matches：	1

2N6620 数据手册

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与2N6620相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N6621	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 25MA I(C) \| MACRO-T	获取价格
2N663	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-3	获取价格
2N6648	NJSEMI	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS	获取价格
2N6648	MICROSEMI	PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR	获取价格
2N6648	MOSPEC	POWER TRANSISTORS(10A,100W)	获取价格
2N6648	CENTRAL	POWER TRANSISTORS TO-3 CASE	获取价格

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