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934062177115

更新时间： 2024-11-11 21:05:19

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	90K
描述
200mA, 40V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-88, 6 PIN

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934062177115 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.8	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
最大关闭时间（toff）：	300 ns	最大开启时间（吨）：	70 ns
Base Number Matches：	1

934062177115 数据手册

PMBT3906YS

40 V, 200 mA PNP/PNP general-purpose double transistor

Rev. 02 — 13 May 2009

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

PNP/PNP general-purpose double transistor in a SOT363 (SC-88) very small

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

Table 1.

Product overview

Type number Package

NXP

NPN/NPN

complement

NPN/PNP

complement

Package

conﬁguration

JEITA

PMBT3906YS SOT363

SC-88

PMBT3904YS PMBT3946YPN very small

1.2 Features

I General-purpose double transistor

I Board-space reduction

I AEC-Q101 qualiﬁed

1.3 Applications

I General-purpose switching and ampliﬁcation

1.4 Quick reference data

Table 2.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per transistor

V_CEOcollector-emitter voltage

I_C

open base

−40

collector current

DC current gain

−200

300

h_FE

V_CE= −1 V;

I_C= −10 mA

100

180

12 3 4 5 6 7...12

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