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934056382118

更新时间： 2024-01-03 19:03:40

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	266K
描述
10000mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, PLASTIC, SMD, SO-8

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934056382118 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	PLASTIC, SMD, SO-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.14	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.0135 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MS-012AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

934056382118 数据手册

Si4410DY

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor

M3D315

Rev. 02 — 05 July 2001

Product data

1. Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor in a plastic package using

TrenchMOS™¹technology.

Product availability:

Si4410DY in SOT96-1 (SO8).

2. Features

■ Low on-state resistance

■ Fast switching

■ TrenchMOS™ technology.

3. Applications

■ DC to DC convertors

■ DC motor control

■ Lithium ion battery applications

■ Notebook PC

■ Portable equipment applications.

4. Pinning information

Table 1: Pinning - SOT96-1, simpliﬁed outline and symbol

Description

source (s)

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

1,2,3

5,6,7,8

drain (d)

MBB076

Top view

MBK187

SOT96-1 (SO8)

1. TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.

12 3 4 5 6 7...13

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