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934056420127

更新时间： 2024-02-14 09:59:47

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	91K
描述
TRANSISTOR 55.5 A, 150 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN, FET General Purpose Power

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934056420127 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.19	雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (ID)：	55.5 A
最大漏源导通电阻：	0.03 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	222 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	PURE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

934056420127 数据手册

Philips Semiconductors

Product specification

N-channel TrenchMOS transistor

PSMN030-150P

FEATURES

SYMBOL

QUICK REFERENCE DATA

• ’Trench’ technology

• Very low on-state resistance

• Fast switching

V_DSS= 150 V

I_D= 55.5 A

• Low thermal resistance

R_DS(ON)≤ 30 mΩ

GENERAL DESCRIPTION

SiliconMAX products use the latest Philips Trench technology to achieve the lowest possible on-state resistance in

each package at each voltage rating.

Applications:-

• d.c. to d.c. converters

• switched mode power supplies

The PSMN030-150P is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.

PINNING

SOT78 (TO220AB)

DESCRIPTION

tab

gate

drain

source

drain

tab

1 2 3

LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

SYMBOL PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

V_DSS

V_DGR

V_GS

I_D

Drain-source voltage

Drain-gate voltage

Gate-source voltage

Continuous drain current

T_j= 25 ˚C to 175˚C

T_j= 25 ˚C to 175˚C; R_GS= 20 kΩ

150

± 20

55.5

222

250

175

˚C

T_mb= 25 ˚C

T_mb= 100 ˚C

T_mb= 25 ˚C

I_DM

P_D

T_j, T_stg

Pulsed drain current

Total power dissipation

Operating junction and

storage temperature

- 55

June 2000

Rev 1.000

12 3 4 5 6 7 8

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