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934056399118

更新时间： 2024-02-16 05:53:48

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恩智浦 - NXP		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	300K
描述
TRANSISTOR 75 A, 75 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SMD, D2PAK-3, FET General Purpose Power

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934056399118 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.22	雪崩能效等级（Eas）：	395 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	75 V	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.0085 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

934056399118 数据手册

PSMN008-75P; PSMN008-75B

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor

Rev. 01 — 18 September 2000

Product speciﬁcation

1. Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor in a plastic package using

TrenchMOS™¹technology.

Product availability:

PSMN008-75P in SOT78

PSMN008-75B in SOT404 (D²-PAK).

2. Features

■ Fast switching

■ Low on-state resistance

■ Avalanche ruggedness rated.

3. Applications

■ DC to DC converters

■ Uninterruptable power supplies.

4. Pinning information

Table 1: Pinning - SOT78 and SOT404, simpliﬁed outline and symbol

Description

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

[1]

drain (d)

source (s)

connected to

drain (d)

MBK106

MBB076

MBK116

2 3

SOT404 (D^2-PAK)

SOT78

[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.

1. TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.

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