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934056305115

更新时间： 2024-01-30 21:50:35

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恩智浦 - NXP		测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	57K
描述
5.6V, 0.35W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC, UMT3, SC-70, CMPAK-3

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934056305115 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.49	配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.35 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	5.6 V	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	最大电压容差：	5%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

934056305115 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

Voltage regulator double diodes

BZB784 series

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

R_{th j-s}

thermal resistance from junction to soldering point 2 diodes loaded; note 1

1 diode loaded; note 1

140

265

355

680

K/W

R_{th j-a}

thermal resistance from junction to ambient

2 diodes loaded; note 2

1 diode loaded; note 2

Notes

1. Solder points on cathode tabs.

2. Device mounted on a FR4 printed-circuit board.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Total BZB784-C series

T_j= 25 °C; unless otherwise specified.

SYMBOL

PARAMETER

forward voltage

CONDITIONS

MAX.

UNIT

V_F

I_R

I_F= 10 mA; see Fig.2

0.9

reverse current

BZB784-C2V4

BZB784-C2V7

BZB784-C3V0

BZB784-C3V3

BZB784-C3V6

BZB784-C3V9

BZB784-C4V3

BZB784-C4V7

BZB784-C5V1

BZB784-C5V6

BZB784-C6V2

BZB784-C6V8

BZB784-C7V5

BZB784-C8V2

BZB784-C9V1

BZB784-C10

BZB784-C11

BZB784-C12

BZB784-C13

BZB784-C15

V_R= 1 V

V_R= 2 V

V_R= 4 V

V_R= 5 V

V_R= 6 V

V_R= 7 V

V_R= 8 V

V_R= 10.5V

µA

700

500

200

100

2001 Feb 27

1 234 5 6 7 8

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