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934042590115

更新时间： 2024-11-16 14:47:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 栅光电二极管栅极
页数 文件大小 规格书
7页 53K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1 A, 600 V, SCR, PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN

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934042590115 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SC-73
包装说明：PLASTIC, SMD, SC-73, 4 PIN针数：4
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.1其他特性：SENSITIVE GATE
外壳连接：ANODE配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：0.2 mAJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：1 A
断态重复峰值电压：600 V重复峰值反向电压：600 V
表面贴装：YES端子面层：TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

934042590115 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Thyristors  
BT168GW  
logic level for RCD/ GFI/ LCCB applications  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Passivated, sensitive gate thyristor in a plastic  
envelope suitable for surface mounting,  
intended for use in Residual Current Devices/  
Ground Fault Interrupters/ Leakage Current  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX.  
UNIT  
BT168  
GW  
600  
VDRM, VRRM  
IT(AV)  
Repetitive peak  
off-state voltages  
Average on-state  
current  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak  
on-state current  
V
A
Circuit  
Breakers  
(RCD/ GFI/ LCCB)  
applications where a minimum IGT limit is  
needed. Thisdevicesmaybeinterfaced directly  
to microcontrollers, logic integrated circuits and  
other low power gate trigger circuits.  
0.6  
IT(RMS)  
ITSM  
1
8
A
A
PINNING - SOT223  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
4
cathode  
anode  
gate  
a
k
2
3
g
2
3
1
tab anode  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
6001  
0.63  
UNIT  
V
VDRM, VRRM Repetitive peak off-state  
voltages  
-
-
IT(AV)  
Average on-state current half sine wave;  
sp ≤ 112 ˚C  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak  
on-state current  
A
T
IT(RMS)  
ITSM  
all conduction angles  
t = 10 ms  
-
-
-
1
8
9
A
A
A
t = 8.3 ms  
half sine wave;  
Tj = 25 ˚C prior to surge  
t = 10 ms  
I2t  
I2t for fusing  
Repetitive rate of rise of  
on-state current after  
triggering  
Peak gate current  
Peak gate voltage  
Peak reverse gate voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
-
-
0.32  
50  
A2s  
dIT/dt  
ITM = 2 A; IG = 10 mA;  
dIG/dt = 100 mA/µs  
A/µs  
IGM  
-
1
5
A
V
V
W
W
˚C  
˚C  
VGM  
VRGM  
PGM  
PG(AV)  
Tstg  
-
-
5
-
-
2
over any 20 ms period  
0.1  
150  
125  
-40  
-
Tj  
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the thyristor may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/µs.  
September 2001  
1
Rev 1.000  
1234567

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