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841S012BKI

更新时间: 2024-02-24 07:27:33
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟外围集成电路晶体
页数 文件大小 规格书
21页 298K
描述
Clock Generator, 250MHz, 8 X 8 MM, 0.925 MM HEIGHT, MO-220, VFQFN-56

841S012BKI 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:QFN
包装说明:VQCCN,针数:56
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01风险等级:5.52
JESD-30 代码:S-XQCC-N56JESD-609代码:e0
长度:8 mm端子数量:56
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出时钟频率:250 MHz封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:VQCCN封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):225
主时钟/晶体标称频率:25 MHz认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1 mm最大供电电压:3.465 V
最小供电电压:3.135 V标称供电电压:3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:NO LEAD端子节距:0.5 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:8 mmuPs/uCs/外围集成电路类型:CLOCK GENERATOR, OTHER
Base Number Matches:1

841S012BKI 数据手册

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ICS841S012I  
CRYSTAL-TO-0.7V DIFFERENTIAL HCSL/LVCMOS FREQUENCY SYNTHESIZER  
PRELIMINARY  
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION  
3.3V 5ꢀ  
1.65V 5ꢀ  
3.3V 5ꢀ  
1.65V 5ꢀ  
Measurement  
Point  
VDD  
100Ω  
100Ω  
SCOPE  
33Ω  
VDD,  
VDDOB,  
VDDA  
VDDOC  
VDDA  
49.9Ω  
Qx  
2pF  
HCSL  
LVCMOS  
GND  
Measurement  
Point  
33Ω  
GND  
49.9Ω  
2pF  
475Ω  
IREF  
-1.65V 5ꢀ  
0V  
3.3V CORE/3.3V LVCMOS OUTPUT LOAD AC TEST CIRCUIT  
3.3V CORE/3.3V HCSL OUTPUT LOAD AC TEST CIRCUIT  
nQx  
Qx  
VDDOX  
Qx  
Qy  
2
nQy  
VDDOX  
2
Qy  
tsk(o)  
tsk(o)  
LVCMOS OUTPUT SKEW  
HCSL OUTPUT SKEW  
Rise Edge Rate  
Fall Edge Rate  
+150mV  
0.0V  
80ꢀ  
tF  
80ꢀ  
-150mV  
20ꢀ  
20ꢀ  
Q - nQ  
QC,  
QB0:QB6,  
tR  
REF_OUT0,  
REF_OUT1  
DIFFERENTIAL MEASUREMENT POINTS FOR RISE/FALL TIME  
8 ICS841S012BKI REV. A MAY 1, 2008  
LVCMOS OUTPUT RISE/FALL TIME  
IDT/ ICS0.7V HCSL/LVCMOS FREQUENCY SYNTHESIZER  

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