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| 生命周期： | Active | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.24 | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 120 mA | JEDEC-95代码： | TO-209AC |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 125 A |
| 断态重复峰值电压： | 1000 V | 重复峰值反向电压： | 1000 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE |
| 端子位置： | UPPER | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 81RIA100M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 80000mA I(T), 1000V V(DRM) |
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| 81RIA10M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 80000mA I(T), 100V V(DRM) |
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| 81RIA120 | INFINEON |
获取价格 |
PHASE CONTROL THYRISTORS |
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| 81RIA120M | VISHAY |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 81RIA120M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 El |
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| 81RIA120MPBF | VISHAY |
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Phase Control Thyristors (Stud Version), 80 A |
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| 81RIA120PBF | VISHAY |
获取价格 |
Phase Control Thyristors (Stud Version), 80 A |
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| 81RIA20 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 70000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Elem |
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| 81RIA20 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 125 A, 200 V, SCR, TO-209AC |
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| 81RIA20M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 80000mA I(T), 200V V(DRM) |
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