是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-94 |
包装说明: | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.30.00.80 |
风险等级: | 5.23 | Is Samacsys: | N |
标称电路换相断开时间: | 110 µs | 配置: | SINGLE |
关态电压最小值的临界上升速率: | 500 V/us | 最大直流栅极触发电流: | 120 mA |
最大直流栅极触发电压: | 3.5 V | 最大维持电流: | 200 mA |
JEDEC-95代码: | TO-209AC | JESD-30 代码: | O-MUPM-H3 |
最大漏电流: | 15 mA | 通态非重复峰值电流: | 1900 A |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最大通态电流: | 80000 A | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大均方根通态电流: | 125 A | 断态重复峰值电压: | 1200 V |
重复峰值反向电压: | 1200 V | 子类别: | Silicon Controlled Rectifiers |
表面贴装: | NO | 端子形式: | HIGH CURRENT CABLE |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
81RIA120PBF | VISHAY |
获取价格 |
Phase Control Thyristors (Stud Version), 80 A | |
81RIA20 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 70000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Elem | |
81RIA20 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 125 A, 200 V, SCR, TO-209AC | |
81RIA20M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 80000mA I(T), 200V V(DRM) | |
81RIA40 | INFINEON |
获取价格 |
PHASE CONTROL THYRISTORS | |
81RIA40M | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 125A I(T)RMS, 80000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Elem | |
81RIA40M | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 125 A, 400 V, SCR, TO-209AC | |
81RIA40MPBF | VISHAY |
获取价格 |
Phase Control Thyristors (Stud Version), 80 A | |
81RIA40PBF | VISHAY |
获取价格 |
Phase Control Thyristors (Stud Version), 80 A | |
81RIA60 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 125 A, 600 V, SCR, TO-209AC |