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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X24 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 75 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | COMPLEX | JESD-30 代码： | R-XUFM-X24 |
| 元件数量： | 7 | 端子数量： | 24 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 450 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 700 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 7MBR75SD060 | FUJI | PIM/Built-in converter with thyristor and brake (600V / 75A / PIM) |
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| 7MBR75U2B060 | FUJI | IGBT MODULE (U series) 600V / 75A / PIM |
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| 7MBR75U2B-060(P) | ETC | IGBTs |
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| 7MBR75U2B060-50 | FUJI | PIM(conv.+Brake+inv.) M712 |
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| 7MBR75U4B120 | FUJI | Power Integrated Module |
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| 7MBR75U4B120-50 | FUJI | Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24 |
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