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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X24 | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.71 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 75 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | COMPLEX |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X24 | 元件数量： | 7 |
| 端子数量： | 24 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 440 ns | 标称接通时间 (ton)： | 960 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 7MBR75U4B120-50 | FUJI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24 |
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| 7MBR75UB060 | FUJI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| 7MBR75UB120 | ETC |
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IGBT MODULE (U series) 1200V / 75A / PIM |
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| 7MBR75UB-120 | ETC |
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IGBTs |
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| 7MBR75UD060 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| 7MBR75UD120 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| 7MBR75VB060-50 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| 7MBR75VB120-50 | FUJI |
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PIM(conv.+Brake+inv.) M712 |
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| 7MBR75VB120-50 |
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完全替代FP75R12KT3/KE3 |
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| 7MBR75VJC120-50 | FUJI |
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PIM(conv.+Brake+inv.) |
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