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7MBR75VR120-50

更新时间： 2024-11-09 08:06:31
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富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
8页 800K
描述
IGBT MODULE

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7MBR75VR120-50 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21针数：32
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.7
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：75 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：COMPLEX门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X21元件数量：7
端子数量：21最高工作温度：125 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：385 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：530 ns标称接通时间 (ton)：390 ns
VCEsat-Max：2.7 VBase Number Matches：1

7MBR75VR120-50 数据手册

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7MBR75VR120-50  
IGBT MODULE (V series)  
1200V / 75A / PIM  
IGBT Modules  
Features  
Low VCE(sat)  
Compact Package  
P.C.Board Mount Module  
Converter Diode Bridge Dynamic Brake Circuit  
RoHS compliant product  
Applications  
Inverter for Motor Drive  
AC and DC Servo Drive Amplifier  
Uninterruptible Power Supply  
Maximum Ratings and Characteristics  
Absolute Maximum Ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)  
Maximum  
ratings  
Items  
Symbols  
Conditions  
Units  
Collector-Emitter voltage  
V
V
CES  
GES  
1200  
±20  
V
V
Gate-Emitter voltage  
Collector current  
Ic  
Continuous  
1ms  
Tc=80°C  
Tc=80°C  
75  
Icp  
150  
A
-Ic  
75  
-Ic pulse  
Pc  
1ms  
150  
Collector power dissipation  
Collector-Emitter voltage  
Gate-Emitter voltage  
1 device  
385  
W
V
V
V
CES  
1200  
±20  
GES  
V
I
C
Continuous  
1ms  
Tc=80°C  
Tc=80°C  
50  
Collector current  
A
I
CP  
100  
Collector power dissipation  
Repetitive peak reverse voltage (Diode)  
Repetitive peak reverse voltage  
Average output current  
P
C
1 device  
280  
W
V
VRRM  
VRRM  
1200  
1600  
75  
V
I
O
50Hz/60Hz, sine wave  
A
Surge current (Non-Repetitive)  
I2t (Non-Repetitive)  
I
FSM  
520  
A
A2s  
10ms, Tj=150°C  
half sine wave  
I2t  
Tj  
1352  
175  
Inverter, Brake  
Converter  
Junction temperature  
150  
Inverter, Brake  
Converter  
150  
Operating junciton temperature  
(under switching conditions)  
Tjop  
150  
°C  
Case temperature  
Tc  
125  
Maximum junction temperature  
Operating temperature (under switching conditions)  
Storage temperature  
Tjmax  
Tjop  
Tstg  
175  
150  
-40 to +125  
between terminal and copper base (*1)  
Isolation voltage  
V
iso  
AC : 1min.  
M5  
2500  
3.5  
VAC  
N m  
between thermistor and others (*2)  
Screw torque  
Mounting (*3)  
-
Note *1: All terminals should be connected together during the test.  
Note *2: Two thermistor terminals should be connected together, other terminals should be connected together and shorted to base plate during the test.  
Note *3: Recommendable value : 2.5-3.5 Nm (M5)  
1
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
7MBR75VX120-50 FUJI

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 		IGBT MODULE
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