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7MBR100VX120-50

更新时间： 2024-01-22 13:49:08

品牌	Logo	应用领域
富士电机 - FUJI		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	852K
描述
IGBT MODULE

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7MBR100VX120-50 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X20	针数：	35
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.71
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	100 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	COMPLEX
JESD-30 代码：	R-XUFM-X20	元件数量：	7
端子数量：	20	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	530 ns
标称接通时间 (ton)：	390 ns	Base Number Matches：	1

7MBR100VX120-50 数据手册

7MBR100VX120-50

IGBT Modules

[ Brake ]

Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)

Tj= 25^oC / chip

Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)

Tj= 150^oC / chip

150

V_GE=20V

15V

12V

10V

100

10V

Collector-Emitter voltage: VCE [V]

[ Brake ]

Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)

VGE=15V / chip

Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)

Tj= 25^oC / chip

150

Tj=25°C

Tj=150°C

100

Tj=125°C

Ic=150A

Ic=75A

Ic=38A

Collector-Emitter voltage: VCE [V]

Gate - Emitter voltage: VGE [V]

[ Brake ]

Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)

V_GE=0V, f= 1MHz, Tj= 25^oC

Dynamic gate charge (typ.)

Vcc=600V, Ic=100A, Tj= 25°C

100.0

10.0

1.0

V_GE

Cies

Cres

Coes

V_CE

0.1

200

400

600

800

Collector - Emitter voltage: VCE [V]

Gate charge: Qg [nC]

1...3 4 567 8

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与7MBR100VX120-50相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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