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7MBR100VX120-50

更新时间： 2024-01-30 07:52:29
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 852K
描述
IGBT MODULE

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7MBR100VX120-50 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X20针数：35
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.71
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：100 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：COMPLEX
JESD-30 代码：R-XUFM-X20元件数量：7
端子数量：20封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：530 ns
标称接通时间 (ton)：390 nsBase Number Matches：1

7MBR100VX120-50 数据手册

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7MBR100VX120-50  
IGBT Modules  
Electrical characteristics (at Tj= 25°C unless otherwise specified)  
Characteristics  
Items  
Symbols  
Conditions  
Units  
min.  
typ.  
-
max.  
Zero gate voltage collector current  
I
I
CES  
GES  
V
V
V
GE = 0V, VCE = 1200V  
-
-
1.0  
mA  
nA  
V
Gate-Emitter leakage current  
Gate-Emitter threshold voltage  
GE = 0V, VGE = ±20V  
-
200  
VGE (th)  
CE = 20V, I  
C
= 100mA  
6.0  
-
6.5  
7.0  
Tj=25°C  
2.20  
2.50  
2.55  
1.75  
2.05  
2.10  
9.1  
2.65  
VCE (sat)  
VGE = 15V  
Tj=125°C  
Tj=150°C  
Tj=25°C  
-
-
(terminal)  
I
C
= 100A  
-
-
Collector-Emitter saturation voltage  
V
-
2.20  
VCE (sat)  
VGE = 15V  
Tj=125°C  
Tj=150°C  
-
-
(chip)  
I
C
= 100A  
-
-
-
Input capacitance  
Turn-on time  
Cies  
ton  
tr  
VCE = 10V, VGE = 0V, f = 1MHz  
-
nF  
µs  
-
0.39  
0.09  
0.03  
0.53  
0.06  
2.15  
2.30  
2.25  
1.70  
1.85  
1.80  
-
1.20  
0.60  
-
VCC = 600V  
-
I
C
= 100A  
tr (i)  
toff  
tf  
-
VGE = +15 / -15V  
-
1.00  
0.30  
2.60  
-
RG = 1.6Ω  
Turn-off time  
-
Tj=25°C  
-
VF  
I
F
= 100A  
Tj=125°C  
Tj=150°C  
Tj=25°C  
-
(terminal)  
-
-
Forward on voltage  
V
-
2.15  
-
VF  
(chip)  
I
I
F
F
= 100A  
= 100A  
Tj=125°C  
Tj=150°C  
-
-
-
Reverse recovery time  
trr  
-
0.1  
µs  
V
GE = 0V  
Zero gate voltage collector current  
I
I
CES  
GES  
-
-
-
-
1.0  
mA  
VCE = 1200V  
VCE = 0V  
Gate-Emitter leakage current  
Collector-Emitter saturation voltage  
Turn-on time  
200  
nA  
V
VGE = +20 / -20V  
Tj=25°C  
-
2.20  
2.55  
2.60  
1.85  
2.20  
2.25  
0.39  
0.09  
0.53  
0.06  
-
2.65  
-
V
CE (sat)  
VGE = 15V  
Tj=125°C  
Tj=150°C  
Tj=25°C  
-
(terminal)  
I
C
= 75A  
-
-
-
2.30  
-
V
(chip)  
CE (sat)  
VGE = 15V  
Tj=125°C  
Tj=150°C  
-
I
C
= 75A  
-
-
ton  
tr  
-
1.20  
0.60  
1.00  
0.30  
1.00  
2.40  
-
VCE = 600V  
-
I
C
= 75A  
µs  
VGE = +15 / -15V  
toff  
tf  
-
Turn-off time  
Reverse current  
Forward on voltage  
Reverse current  
Resistance  
R
G
= 2.2Ω  
-
IRRM  
VR  
= 1200V  
-
mA  
V
terminal  
chip  
-
1.95  
1.50  
-
V
(chip)  
FM  
I
F
= 100A  
= 1600V  
-
-
IRRM  
VR  
1.0  
-
mA  
Ω
T = 25°C  
-
5000  
495  
3375  
R
B
T = 100°C  
T = 25 / 50°C  
465  
3305  
520  
3450  
B value  
K
Thermal resistance characteristics  
Characteristics  
Items  
Symbols Conditions  
Units  
min.  
typ.  
max.  
Inverter IGBT  
-
-
-
-
-
-
0.29  
0.44  
0.39  
0.43  
-
Inverter FWD  
Rth(j-c)  
-
Thermal resistance (1device)  
Brake IGBT  
-
-
°C/W  
Converter Diode  
Contact thermal resistance (1device) (*4)  
Rth(c-f)  
with Thermal Compound  
0.05  
Note *4: This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound.  
2
12345678

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