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7MBR10NF120

更新时间: 2024-11-25 22:23:03
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富士电机 - FUJI /
页数 文件大小 规格书
9页 263K
描述
1201200V/10A/PIM

7MBR10NF120 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.71
其他特性:3 PHASE DIODE RECTIFIER, BRAKE AND INVERTER AVAILABLE IN A MODULE最大集电极电流 (IC):10 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:COMPLEX
门极-发射极最大电压:20 VJESD-30 代码:R-XUFM-X21
元件数量:7端子数量:21
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):1500 ns
标称接通时间 (ton):1200 nsVCEsat-Max:3.3 V
Base Number Matches:1

7MBR10NF120 数据手册

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