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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 100 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDIP-T40 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 16 |
| 端子数量： | 40 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 64KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP40,.9 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
| 最大待机电流： | 0.00032 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 1.95 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 7M7005S40CH | IDT |
获取价格 |
Memory Circuit, EEPROM+SRAM, Hybrid, CPGA66 |
|
| 7M822L45C | IDT |
获取价格 |
Memory IC |
|
| 7M823S100CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 128KX8, 100ns, CMOS, CDIP64 |
|
| 7M823S65C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 128KX8, 65ns, CMOS, CDIP64 |
|
| 7M826S100CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 128KX8, 100ns, CMOS, CDIP64 |
|
| 7M864L-150CC | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 8KX8, 150ns, CMOS, CDIP28 |
|
| 7MB1041S35K | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM Module, 8KX8, 35ns, CMOS, PQIP120 |
|
| 7MB1041S45K | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM Module, 8KX8, 45ns, CMOS, PQIP120 |
|
| 7MB1041S65K | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM Module, 8KX8, 65ns, CMOS, PQIP120 |
|
| 7MB4005S30CV | IDT |
获取价格 |
Memory IC |
|
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