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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, DIP36,.6 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 70 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T36 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 36 |
| 字数： | 2097152 words | 字数代码： | 2000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2MX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP36,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.00025 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.11 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 7MB4084L85P | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 2MX8, 85ns, CMOS, PDIP36, 1.800 X 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-36 |
|
| 7MB6046S70K | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM Module, 64KX16, 70ns, CMOS, PQIP100 |
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| 7MB6051 | IDT |
获取价格 |
Memory IC |
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| 7MB6051S12K | IDT |
获取价格 |
Memory IC |
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| 7MB6051S16K | IDT |
获取价格 |
Memory IC |
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| 7MB6051S20K | IDT |
获取价格 |
Memory IC |
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| 7MB6051S25K | IDT |
获取价格 |
Memory IC |
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| 7MB6051S33K | IDT |
获取价格 |
Memory IC |
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| 7MB6056S100K | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM Module, 32KX16, 100ns, CMOS, PQIP100 |
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| 7MB6056S120K | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM Module, 32KX16, 120ns, CMOS, PQIP100 |
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