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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | QIP, QI100,2.0/2.2,100 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 40 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PQIP-P100 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 524288 bit | 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 16 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 100 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QIP |
| 封装等效代码： | QI100,2.0/2.2,100 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.2 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.52 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 7MB6056S50K | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM Module, 32KX16, 50ns, CMOS, PQIP100 |
|
| 7MB6056S60K | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM Module, 32KX16, 60ns, CMOS, PQIP100 |
|
| 7MB6056S70K | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM Module, 32KX16, 70ns, CMOS, PQIP100 |
|
| 7MBI100N-060 | FUJI |
获取价格 |
IGBT(600V/100A) |
|
| 7MBI100UD-060 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| 7MBI150UD-060 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| 7MBI300UD-060 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| 7MBI40N-120 | FUJI |
获取价格 |
IGBT(1200V/40A) |
|
| 7MBI50N-120 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE(1200V,50A) |
|
| 7MBI75N-060 | FUJI |
获取价格 |
IGBT(600V/75A) |
|
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