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74LVC1G332GV-Q100,125 PDF预览

74LVC1G332GV-Q100,125

更新时间： 2024-02-15 12:41:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 栅光电二极管逻辑集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 101K
描述
OR Gate, LVC/LCX/Z Series, 1-Func, 3-Input, CMOS, PDSO6

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74LVC1G332GV-Q100,125 技术参数

生命周期：Active包装说明：TSOP,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.59
系列：LVC/LCX/ZJESD-30 代码：R-PDSO-G6
长度：2.9 mm逻辑集成电路类型：OR GATE
功能数量：1输入次数：3
端子数量：6最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE传播延迟（tpd）：21.5 ns
筛选级别：AEC-Q100座面最大高度：1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子形式：GULL WING端子节距：0.95 mm
端子位置：DUAL宽度：1.5 mm
Base Number Matches：1

74LVC1G332GV-Q100,125 数据手册

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74LVC1G332-Q100  
NXP Semiconductors  
3-input OR gate  
9. Recommended operating conditions  
Table 6.  
Recommended operating conditions  
Symbol Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
5.5  
Unit  
V
VCC  
VI  
supply voltage  
input voltage  
output voltage  
1.65  
-
-
-
-
-
-
-
0
5.5  
V
VO  
Active mode  
0
VCC  
5.5  
V
VCC = 0 V; Power-down mode  
0
V
Tamb  
ambient temperature  
40  
+125  
20  
C  
ns/V  
ns/V  
t/V  
input transition rise and fall rate VCC = 1.65 V to 2.7 V  
VCC = 2.7 V to 5.5 V  
-
-
10  
10. Static characteristics  
Table 7.  
Static characteristics  
At recommended operating conditions. Voltages are referenced to GND (ground = 0 V).  
Symbol Parameter  
Conditions  
40 C to +85 C  
40 C to +125 C Unit  
Min  
Typ[1]  
Max  
Min  
Max  
VIH  
HIGH-level  
input voltage  
VCC = 1.65 V to 1.95 V  
VCC = 2.3 V to 2.7 V  
VCC = 2.7 V to 3.6 V  
0.65VCC  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.65VCC  
-
V
V
V
V
V
V
V
V
1.7  
-
1.7  
-
2.0  
-
-
2.0  
-
-
VCC = 4.5 V to 5.5 V  
0.7VCC  
0.7VCC  
VIL  
LOW-level  
input voltage  
VCC = 1.65 V to 1.95 V  
VCC = 2.3 V to 2.7 V  
VCC = 2.7 V to 3.6 V  
VCC = 4.5 V to 5.5 V  
VI = VIH or VIL  
-
-
-
-
0.35VCC  
0.7  
-
-
-
-
0.35VCC  
0.7  
0.8  
0.8  
0.3VCC  
0.3VCC  
VOH  
HIGH-level  
output voltage  
IO = 100 A;  
VCC 0.1  
-
-
VCC 0.1  
-
V
VCC = 1.65 V to 5.5 V  
IO = 4 mA; VCC = 1.65 V  
IO = 8 mA; VCC = 2.3 V  
IO = 12 mA; VCC = 2.7 V  
IO = 24 mA; VCC = 3.0 V  
IO = 32 mA; VCC = 4.5 V  
VI = VIH or VIL  
1.2  
1.9  
2.2  
2.3  
3.8  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.95  
1.7  
1.9  
2.0  
3.4  
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
VOL  
LOW-level  
output voltage  
IO = 100 A;  
-
-
0.1  
-
0.1  
V
VCC = 1.65 V to 5.5 V  
IO = 4 mA; VCC = 1.65 V  
IO = 8 mA; VCC = 2.3 V  
IO = 12 mA; VCC = 2.7 V  
IO = 24 mA; VCC = 3.0 V  
IO = 32 mA; VCC = 4.5 V  
-
-
-
-
-
-
-
0.45  
0.3  
-
-
-
-
-
-
0.70  
0.45  
0.60  
0.80  
0.80  
100  
V
-
V
-
0.4  
V
-
-
0.55  
0.55  
5  
V
V
II  
input leakage VCC = 0 V to 5.5 V;  
current VI = 5.5 V or GND  
0.1  
A  
74LVC1G332_Q100  
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.  
© NXP Semiconductors N.V. 2014. All rights reserved.  
Product data sheet  
Rev. 1 — 26 May 2014  
4 of 13  
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