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74LVC1G332GV-Q100,125

更新时间： 2024-01-29 01:53:59

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		栅光电二极管逻辑集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	101K
描述
OR Gate, LVC/LCX/Z Series, 1-Func, 3-Input, CMOS, PDSO6

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74LVC1G332GV-Q100,125 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	TSOP,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
系列：	LVC/LCX/Z	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
长度：	2.9 mm	逻辑集成电路类型：	OR GATE
功能数量：	1	输入次数：	3
端子数量：	6	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	传播延迟（tpd）：	21.5 ns
筛选级别：	AEC-Q100	座面最大高度：	1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.95 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	1.5 mm
Base Number Matches：	1

74LVC1G332GV-Q100,125 数据手册

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74LVC1G332-Q100

NXP Semiconductors

3-input OR gate

EXT

DUT

mna616

Test data is given in Table 10.

Definitions for test circuit:

R_L= Load resistance.

C_L= Load capacitance including jig and probe capacitance.

R_T= Termination resistance; should be equal to the output impedance Z_oof the pulse generator.

V_EXT= External voltage for measuring switching times.

Fig 6. Test circuit for measuring switching times

Table 10. Test data

Supply voltage

V_CC

Input

V_I

Load

C_L

V_EXT

t_r= t_f

R_L

t_PLH, t_PHL

open

1.65 V to 1.95 V

2.3 V to 2.7 V

2.7 V

V_CC

2.7 V

V_CC

 2.0 ns

 2.5 ns

30 pF

50 pF

1 k

500 

open

3.0 V to 3.6 V

4.5 V to 5.5 V

open

74LVC1G332_Q100

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Product data sheet

Rev. 1 — 26 May 2014

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