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74LVC1G14FW4-7

更新时间: 2024-02-20 12:32:17
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美台 - DIODES 触发器
页数 文件大小 规格书
14页 265K
描述
SINGLE SCHMITT-TRIGGER INVERETER

74LVC1G14FW4-7 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:DFN
包装说明:VSON, SOLCC6,.04,14针数:6
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8542.39.00.01
Factory Lead Time:17 weeks风险等级:1.07
系列:LVC/LCX/ZJESD-30 代码:S-PDSO-N6
JESD-609代码:e4长度:1 mm
负载电容(CL):50 pF逻辑集成电路类型:INVERTER
最大I(ol):0.024 A湿度敏感等级:1
功能数量:1输入次数:1
端子数量:6最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C输出特性:TOTEM POLE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:VSON
封装等效代码:SOLCC6,.04,14封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE包装方法:TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup:7 ns传播延迟(tpd):14 ns
认证状态:Not Qualified施密特触发器:YES
座面最大高度:0.4 mm子类别:Gates
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):1.65 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式:NO LEAD
端子节距:0.35 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40宽度:1 mm
Base Number Matches:1

74LVC1G14FW4-7 数据手册

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74LVC1G14  
SINGLE SCHMITT-TRIGGER INVERETER  
Electrical Characteristics  
TA=-40 °C to 125 °C  
(All typical values are at Vcc = 3.3V, TA = 25°C)  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Vcc  
1.65 V  
2.3V  
Min  
0.70  
1.11  
1.50  
2.16  
2.61  
0.30  
0.58  
0.80  
1.21  
1.45  
0.30  
0.37  
0.32  
0.50  
0.55  
VCC – 0.1  
0.95  
1.7  
Typ.  
Max  
1.20  
1.60  
2.00  
2.74  
3.33  
0.75  
1.03  
1.33  
1.95  
2.35  
0.62  
0.80  
1.00  
1.20  
1.40  
Unit  
Positive-going input  
threshold voltage  
VT+  
3 V  
4.5 V  
5.5 V  
1.65 V  
2.3V  
Negative-going input  
threshold voltage  
VT-  
3 V  
4.5 V  
5.5 V  
1.65 V  
2.3V  
Hysteresis  
(VT+ - VT-)  
ΔVT  
3 V  
4.5 V  
5.5 V  
1.65 V to 5.5V  
1.65 V  
2.3V  
I
OH = -100μA  
IOH = -4mA  
IOH = -8mA  
IOH = -16mA  
IOH = -24mA  
IOH = -32mA  
VOH  
High Level Output Voltage  
V
1.9  
3 V  
2.0  
4.5 V  
1.65 V to 5.5V  
1.65 V  
3.4  
I
OL = 100μA  
0.1  
0.7  
IOL = 4mA  
IOL = 8mA  
2.3V  
0.45  
0.6  
VOL  
High-level Input Voltage  
Input Current  
V
IOL = 16mA  
3 V  
IOL = 24mA  
0.8  
IOL = 32mA  
4.5  
0.8  
II  
VI = 5.5 V or GND  
VI or VO = 5.5V  
0 to 5.5 V  
± 100  
μA  
μA  
Power Down Leakage  
Current  
IOFF  
0
± 200  
VI = 5.5V of GND  
IO=0  
ICC  
Supply Current  
1.65 V to 5.5V  
3 V to 5.5V  
200  
μA  
μA  
ΔICC  
Additional Supply Current Input at VCC –0.6 V  
5000  
5 of 14  
www.diodes.com  
January 2011  
© Diodes Incorporated  
74LVC1G14  
Document number: DS35123 Rev. 1 - 2  

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