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74HCT3G34DC

更新时间： 2024-11-12 11:11:39

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安世 - NEXPERIA		光电二极管逻辑集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	191K
描述
Triple buffer gateProduction

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74HCT3G34DC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	VSSOP,	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.68
系列：	HCT	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e4	长度：	2.3 mm
逻辑集成电路类型：	BUFFER	湿度敏感等级：	1
功能数量：	3	输入次数：	1
端子数量：	8	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
传播延迟（tpd）：	29 ns	座面最大高度：	1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	2 mm
Base Number Matches：	1

74HCT3G34DC 数据手册

74HC3G34; 74HCT3G34

Triple buffer gate

Rev. 7 — 11 June 2018

Product data sheet

1 General description

The 74HC3G34; 74HCT3G34 is a triple buffer. Inputs include clamp diodes. This enables

the use of current limiting resistors to interface inputs to voltages in excess of V_CC

2 Features and benefits

• Wide supply voltage range from 2.0 V to 6.0 V

• Input levels:

– For 74HC3G34: CMOS level

– For 74HCT3G34: TTL level

• Complies with JEDEC standard no. 7 A

• Symmetrical output impedance

• High noise immunity

• Low-power dissipation

• Balanced propagation delays

• Multiple package options

• ESD protection:

– HBM JESD22-A114E exceeds 2000 V

– MM JESD22-A115-A exceeds 200 V

• Specified from -40 °C to +85 °C and -40 °C to +125 °C

3 Ordering information

Table 1.ꢀOrdering information

Type number

Package

Temperature range Name

Description

Version

74HC3G34DP

74HCT3G34DP

74HC3G34DC

74HCT3G34DC

-40 °C to +125 °C

TSSOP8

plastic thin shrink small outline package; 8 leads; SOT505-2

body width 3 mm; lead length 0.5 mm

-40 °C to +125 °C

VSSOP8

plastic very thin shrink small outline package;

8 leads; body width 2.3 mm

SOT765-1

12 3 4 5 6 7...13

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