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74HCT2G00DC

更新时间: 2024-01-22 22:07:04
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恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
16页 83K
描述
Dual 2-input NAND gate

74HCT2G00DC 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:VSON,Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8542.39.00.01风险等级:5.82
系列:HCTJESD-30 代码:R-PDSO-N8
JESD-609代码:e4长度:3 mm
逻辑集成电路类型:NAND GATE湿度敏感等级:1
功能数量:2输入次数:2
端子数量:8最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VSON封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):260
传播延迟(tpd):29 ns座面最大高度:0.5 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式:NO LEAD
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:2 mm

74HCT2G00DC 数据手册

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INTEGRATED CIRCUITS  
DATA SHEET  
74HC2G00; 74HCT2G00  
Dual 2-input NAND gate  
Product specification  
2003 Feb 12  
Supersedes data of 2002 Jul 10  

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