是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | VSON, | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 5.82 |
系列: | HCT | JESD-30 代码: | R-PDSO-N8 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 3 mm |
逻辑集成电路类型: | NAND GATE | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 2 | 输入次数: | 2 |
端子数量: | 8 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | VSON | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
传播延迟(tpd): | 29 ns | 座面最大高度: | 0.5 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | AUTOMOTIVE |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 2 mm |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
74HCT2G00DC-Q100 | NXP | IC NAND GATE, Gate |
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74HCT2G00DC-Q100 | NEXPERIA | Dual 2-input NAND gateProduction |
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74HCT2G00DP | NXP | Dual 2-input NAND gate |
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74HCT2G00DP | NEXPERIA | Dual 2-input NAND gateProduction |
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74HCT2G00DP,125 | NXP | 74HC(T)2G00 - Dual 2-input NAND gate TSSOP 8-Pin |
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74HCT2G00DP-G | NXP | 暂无描述 |
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