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74HCT2G02DP-Q100

更新时间: 2024-11-24 20:08:59
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 光电二极管逻辑集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 113K
描述
IC NOR GATE, Gate

74HCT2G02DP-Q100 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:SOIC
包装说明:TSSOP,针数:8
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.66系列:HCT
JESD-30 代码:S-PDSO-G8长度:3 mm
逻辑集成电路类型:NOR GATE功能数量:2
输入次数:2端子数量:8
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装形状:SQUARE封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
传播延迟(tpd):29 ns筛选级别:AEC-Q100
座面最大高度:1.1 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
宽度:3 mmBase Number Matches:1

74HCT2G02DP-Q100 数据手册

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74HC2G02-Q100; 74HCT2G02-Q100  
Dual 2-input NOR gate  
Rev. 1 — 11 November 2013  
Product data sheet  
1. General description  
The 74HC2G02-Q100; 74HCT2G02-Q100 is a dual 2-input NOR gate. Inputs include  
clamp diodes that enable the use of current limiting resistors to interface inputs to voltages  
in excess of VCC  
.
This product has been qualified to the Automotive Electronics Council (AEC) standard  
Q100 (Grade 1) and is suitable for use in automotive applications.  
2. Features and benefits  
Automotive product qualification in accordance with AEC-Q100 (Grade 1)  
Specified from 40 C to +85 C and from 40 C to +125 C  
Wide supply voltage range from 2.0 V to 6.0 V  
Input levels:  
For 74HC2G02-Q100: CMOS level  
For 74HCT2G02-Q100: TTL level  
Symmetrical output impedance  
High noise immunity  
Low power dissipation  
Balanced propagation delays  
Multiple package options  
ESD protection:  
MIL-STD-883, method 3015 exceeds 2000 V  
HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V  
MM JESD22-A115-A exceeds 200 V (C = 200 pF, R = 0 )  
 
 

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