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74HC670D/T3 PDF预览

74HC670D/T3

更新时间： 2024-02-11 06:37:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 79K
描述
4X4 STANDARD SRAM, 59ns, PDSO16, SOP-16

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74HC670D/T3 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP,针数：16
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.59
最长访问时间：59 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G16
长度：9.9 mm内存密度：16 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：4
功能数量：1端子数量：16
字数：4 words字数代码：4
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4X4
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm最大供电电压 (Vsup)：6 V
最小供电电压 (Vsup)：2 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

74HC670D/T3 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
4 x 4 register file; 3-state  
74HC/HCT670  
AC WAVEFORMS  
(1) HC : VM = 50%; VI = GND to VCC  
.
(1) HC : VM = 50%; VI = GND to VCC  
.
HCT : VM = 1.3 V; VI = GND to 3 V.  
HCT : VM = 1.3 V; VI = GND to 3 V.  
Fig.7 Waveforms showing the write enable input  
(WE) and data input (Dn) to output (Qn)  
propagation delays, and the write enable  
pulse width.  
Fig.6 Waveforms showing the read address input  
(RA, RB) to output (Qn) propagation delays  
and output transition times.  
(1) HC : VM = 50%; VI = GND to VCC  
.
HCT : VM = 1.3 V; VI = GND to 3 V.  
The shaded areas indicate when the input is permitted  
to change for predictable output performance.  
The time allowed for the internal output of the latch to  
assume the state of the new data (tlatch) is important  
only when attempting to read from a location  
immediately after that location has received new data.  
This parameter is measured from the falling edge of  
WE to the rising edge of RA or RB, RE must be LOW.  
Fig.8 Waveforms showing the write address input (WA, WB) and data input (Dn) to write enable (WE) set-up,  
hold and latch times.  
December 1990  
8
1...56789

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