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74HC670D/T3

更新时间: 2024-02-11 19:00:06
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 79K
描述
4X4 STANDARD SRAM, 59ns, PDSO16, SOP-16

74HC670D/T3 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP,针数:16
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.59
最长访问时间:59 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G16
长度:9.9 mm内存密度:16 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
功能数量:1端子数量:16
字数:4 words字数代码:4
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C组织:4X4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.75 mm最大供电电压 (Vsup):6 V
最小供电电压 (Vsup):2 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:3.9 mmBase Number Matches:1

74HC670D/T3 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
4 x 4 register file; 3-state  
74HC/HCT670  
(1) HC : VM = 50%; VI = GND to VCC  
.
HCT : VM = 1.3 V; VI = GND to 3 V.  
Fig.9 Waveforms showing the read enable (RE) to output (Qn) enable and disable times, and the read enable  
pulse width.  
PACKAGE OUTLINES  
See “74HC/HCT/HCU/HCMOS Logic Package Outlines”.  
December 1990  
9

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