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74HC670D-T

更新时间: 2024-02-07 15:46:13
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
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6页 164K
描述
Register File

74HC670D-T 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIP,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.59
最长访问时间:59 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T16
内存密度:16 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:16
字数:4 words字数代码:4
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C组织:4X4
输出特性:3-STATE可输出:NO
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):6 V最小供电电压 (Vsup):2 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

74HC670D-T 数据手册

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