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74HC1G00

更新时间: 2024-01-10 10:42:23
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恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
16页 75K
描述
2-input NAND gate

74HC1G00 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:PLASTIC, SC-88A, 5 PIN针数:5
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.08Is Samacsys:N
系列:HC/UHJESD-30 代码:R-PDSO-G5
JESD-609代码:e3长度:2 mm
逻辑集成电路类型:NAND GATE湿度敏感等级:1
功能数量:1输入次数:2
端子数量:5最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度(摄氏度):260
传播延迟(tpd):135 ns认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.1 mm最大供电电压 (Vsup):6 V
最小供电电压 (Vsup):2 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:1.25 mmBase Number Matches:1

74HC1G00 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
2-input NAND gate  
74HC1G00; 74HCT1G00  
DC CHARACTERISTICS  
Family 74HC1G  
At recommended operating conditions; voltages are referenced to GND (ground = 0 V).  
TEST CONDITIONS Tamb (°C)  
SYMBOL  
PARAMETER  
40 to +85  
40 to +125  
MIN. MAX.  
1.5  
UNIT  
OTHER  
VCC (V)  
MIN. TYP.(1) MAX.  
VIH  
HIGH-level input voltage  
2.0  
4.5  
6.0  
2.0  
4.5  
6.0  
2.0  
1.5  
3.15  
4.2  
1.2  
2.4  
3.2  
0.8  
2.1  
2.8  
2.0  
V
V
V
V
V
V
V
3.15  
4.2  
VIL  
LOW-level input voltage  
0.5  
1.35  
1.8  
0.5  
1.35  
1.8  
VOH  
HIGH-level output  
voltage  
VI = VIH or VIL;  
IO = 20 µA  
1.9  
1.9  
VI = VIH or VIL;  
IO = 20 µA  
4.5  
6.0  
4.5  
6.0  
2.0  
4.5  
6.0  
4.5  
6.0  
4.4  
5.9  
4.13  
5.63  
4.5  
6.0  
4.32  
5.81  
0
4.4  
5.9  
3.7  
5.2  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
VI = VIH or VIL;  
IO = 20 µA  
VI = VIH or VIL;  
IO = 2.0 mA  
VI = VIH or VIL;  
IO = 2.6 mA  
VOL  
LOW-level output  
voltage  
VI = VIH or VIL;  
IO = 20 µA  
0.1  
0.1  
0.1  
0.33  
0.33  
0.1  
0.1  
0.1  
0.4  
0.4  
VI = VIH or VIL;  
IO = 20 µA  
0
VI = VIH or VIL;  
IO = 20 µA  
0
VI = VIH or VIL;  
IO = 2.0 mA  
0.15  
0.16  
VI = VIH or VIL;  
IO = 2.6 mA  
ILI  
input leakage current  
VI = VCC or GND 6.0  
1.0  
10  
1.0  
20  
µA  
µA  
ICC  
quiescent supply  
current  
VI = VCC or GND; 6.0  
IO = 0  
Note  
1. All typical values are measured at Tamb = 25 °C.  
2002 May 15  
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