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74HC1G00

更新时间： 2024-01-17 14:23:45

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恩智浦 - NXP		/
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16页	75K
描述
2-input NAND gate

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74HC1G00 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	PLASTIC, SC-88A, 5 PIN	针数：	5
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.08	Is Samacsys：	N
系列：	HC/UH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G5
JESD-609代码：	e3	长度：	2 mm
逻辑集成电路类型：	NAND GATE	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	输入次数：	2
端子数量：	5	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
传播延迟（tpd）：	135 ns	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	1.25 mm	Base Number Matches：	1

74HC1G00 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

2-input NAND gate

74HC1G00; 74HCT1G00

FEATURES

DESCRIPTION

• Wide supply voltage range from 2.0 to 6.0 V

• Symmetrical output impedance

• High noise immunity

The 74HC1G/HCT1G00 is a high speed Si-gate CMOS

device.

The 74HC1G/HCT1G00 provides the 2-input NAND

function. The standard output currents are ¹⁄₂compared to

the 74HC/HCT00.

• Low power dissipation

• Balanced propagation delays

• Very small 5 pins package

• Output capability: standard.

QUICK REFERENCE DATA

GND = 0 V; T_amb= 25 °C; t_r= t_f≤ 6.0 ns.

TYPICAL

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

UNIT

HC1G

HCT1G

t_PHL/t_PLHpropagation delay A, B to Y

C_L= 15 pF; V_CC= 5 V

C_I

input capacitance

1.5

C_PD

power dissipation capacitance

notes 1 and 2

Notes

1. C_PDis used to determine the dynamic power dissipation (P_Din µW).

P_D= C_PD× V_CC²× f_i+ ∑ (C_L× V_CC²× f_o) where:

f_i= input frequency in MHz;

f_o= output frequency in MHz;

C_L= output load capacitance in pF;

V_CC= supply voltage in Volts;

∑ (C_L× V_CC²× f_o) = sum of outputs.

2. For HC1G the condition is V_I= GND to V_CC

For HCT1G the condition is V_I= GND to V_CC− 1.5 V.

FUNCTION TABLE

See note 1.

INPUTS

OUTPUT

Note

1. H = HIGH voltage level;

L = LOW voltage level.

2002 May 15

123 4 5 6 7...16

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