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74HC1G00

更新时间: 2024-01-22 09:46:28
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恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
16页 75K
描述
2-input NAND gate

74HC1G00 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:PLASTIC, SC-88A, 5 PIN针数:5
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.08Is Samacsys:N
系列:HC/UHJESD-30 代码:R-PDSO-G5
JESD-609代码:e3长度:2 mm
逻辑集成电路类型:NAND GATE湿度敏感等级:1
功能数量:1输入次数:2
端子数量:5最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度(摄氏度):260
传播延迟(tpd):135 ns认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.1 mm最大供电电压 (Vsup):6 V
最小供电电压 (Vsup):2 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:1.25 mmBase Number Matches:1

74HC1G00 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
2-input NAND gate  
74HC1G00; 74HCT1G00  
AC WAVEFORMS  
handbook, halfpage  
V
handbook, halfpage  
CC  
V
A, B input  
M
V
V
O
I
PULSE  
GENERATOR  
D.U.T.  
t
t
PHL  
PLH  
C
R
L
T
MNA101  
Y output  
V
M
MNA100  
Definitions for test circuit:  
CL = Load capacitance including jig and probe capacitance (see  
“AC characteristics”).  
For HC1G: VM = 50%; VI = GND to VCC  
.
For HCT1G: VM = 1.3 V; VI = GND to 3.0 V.  
RT = Termination resistance should be equal to the output  
impedance Zo of the pulse generator.  
Fig.5 The input (A and B) to output (Y)  
propagation delays.  
Fig.6 Load circuitry for switching times.  
2002 May 15  
8

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