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74AUP1G3208GF

更新时间： 2024-01-06 21:08:52

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		栅极逻辑集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
19页	71K
描述
Low-power 3-input OR-AND gate

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74AUP1G3208GF 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	HVBCC,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	1.6
系列：	AUP/ULP/V	JESD-30 代码：	R-PBCC-B6
长度：	1 mm	逻辑集成电路类型：	OR-AND GATE
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
输入次数：	3	端子数量：	6
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	HVBCC
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	传播延迟（tpd）：	20.1 ns
座面最大高度：	0.35 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	0.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.1 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子形式：	BUTT
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	0.8 mm	Base Number Matches：	1

74AUP1G3208GF 数据手册

74AUP1G3208

Philips Semiconductors

Low-power 3-input OR-AND gate

Table 9:

Static characteristics …continued

At recommended operating conditions; voltages are referenced to GND (ground = 0 V).

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_OL

LOW-state output voltage

V_I= V_IHor V_IL

I_O= 20 µA; V_CC= 0.8 V to 3.6 V

I_O= 1.1 mA; V_CC= 1.1 V

I_O= 1.7 mA; V_CC= 1.4 V

I_O= 1.9 mA; V_CC= 1.65 V

I_O= 2.3 mA; V_CC= 2.3 V

I_O= 3.1 mA; V_CC= 2.3 V

I_O= 2.7 mA; V_CC= 3.0 V

I_O= 4.0 mA; V_CC= 3.0 V

V_I= GND to 3.6 V; V_CC= 0 V to 3.6 V

0.1

0.3 × V_CC

0.31

0.44

0.31

0.44

±0.1

±0.2

I_I

input leakage current

µA

I_OFF

∆I_OFF

power-off leakage current V_Ior V_O= 0 V to 3.6 V; V_CC= 0 V

additional power-off

leakage current

V_Ior V_O= 0 V to 3.6 V;

_CC= 0 V to 0.2 V

I_CC

quiescent supply current

V_I= GND or V_CC; I_O= 0 A;

_CC= 0.8 V to 3.6 V

0.5

µA

[1]

∆I_CC

additional quiescent supply V_I= V_CC− 0.6 V; I_O= 0 A;

current

V_CC= 3.3 V

C_I

input capacitance

output capacitance

V_CC= 0 V to 3.6 V; V_I= GND or V_CC

V_O= GND; V_CC= 0 V

1.0

1.8

C_O

T_amb= −40 °C to +85 °C

V_IHHIGH-state input voltage

V_CC= 0.8 V

0.70 × V_CC

V_CC= 0.9 V to 1.95 V

V_CC= 2.3 V to 2.7 V

V_CC= 3.0 V to 3.6 V

V_CC= 0.8 V

0.65 × V_CC

1.6

2.0

V_IL

LOW-state input voltage

0.30 × V_CC

0.35 × V_CC

0.7

V_CC= 0.9 V to 1.95 V

V_CC= 2.3 V to 2.7 V

V_CC= 3.0 V to 3.6 V

0.9

V_OH

HIGH-state output voltage V_I= V_IHor V_IL

I_O= −20 µA; V_CC= 0.8 V to 3.6 V

_CC− 0.1

I_O= −1.1 mA; V_CC= 1.1 V

I_O= −1.7 mA; V_CC= 1.4 V

I_O= −1.9 mA; V_CC= 1.65 V

I_O= −2.3 mA; V_CC= 2.3 V

I_O= −3.1 mA; V_CC= 2.3 V

I_O= −2.7 mA; V_CC= 3.0 V

I_O= −4.0 mA; V_CC= 3.0 V

0.7 × V_CC

1.03

1.30

1.97

1.85

2.67

2.55

74AUP1G3208_1

Preliminary data sheet

Rev. 01.00 — 17 January 2006

7 of 19

1...4 5 678 9 10...19

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