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74AUP1G3208GF

更新时间： 2024-01-10 06:09:02

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恩智浦 - NXP		栅极逻辑集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
19页	71K
描述
Low-power 3-input OR-AND gate

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技术参数
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74AUP1G3208GF 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	HVBCC,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	1.6
系列：	AUP/ULP/V	JESD-30 代码：	R-PBCC-B6
长度：	1 mm	逻辑集成电路类型：	OR-AND GATE
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
输入次数：	3	端子数量：	6
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	HVBCC
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	传播延迟（tpd）：	20.1 ns
座面最大高度：	0.35 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	0.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.1 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子形式：	BUTT
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	0.8 mm	Base Number Matches：	1

74AUP1G3208GF 数据手册

74AUP1G3208

Philips Semiconductors

Low-power 3-input OR-AND gate

001aad502

001aad503

Fig 5. 2-input AND gate

Fig 6. 2-input AND gate

001aad504

001aad505

Fig 7. 2-input OR gate

Fig 8. 3-input gate with the Boolean

function: Y = (A + B) × C

9. Limiting values

Table 7:

Limiting values

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). Voltages are referenced to

GND (ground = 0 V).

Symbol Parameter

Conditions

Min

−0.5

Max

+4.6

−50

Unit

V_CC

I_IK

supply voltage

input clamping

current

V_I< 0 V

[1]

V_I

input voltage

−0.5

+4.6

I_OK

output clamping

current

V_O< 0 V

−50

V_O

output voltage

active mode and

−0.5

+4.6

Power-down mode

I_O

output current

V_O= 0 V to V_CC

±20

+50

I_CC

quiescent supply

current

I_GND

T_stg

P_tot

ground current

−50

°C

storage temperature

−65

+150

250

[2]

total power

dissipation

T_amb= −40 °C to +125 °C

[1] The minimum input and output voltage ratings may be exceeded if the input and output current ratings are

observed.

[2] For SC-88 packages: above 87.5 °C the value of P_totderates linearly with 4.0 mW/K.

For XSON6 packages: above 45 °C the value of P_totderates linearly with 2.4 mW/K.

74AUP1G3208_1

Preliminary data sheet

Rev. 01.00 — 17 January 2006

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