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71V424S10PHG8

更新时间： 2024-02-01 23:32:45

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艾迪悌 - IDT		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	72K
描述
3.3V CMOS Static RAM

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技术参数
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71V424S10PHG8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSOP2, TSOP44,.46,32	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.29
最长访问时间：	10 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e3
长度：	18.41 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.02 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

71V424S10PHG8 数据手册

IDT71V424S, IDT71V424L, 3.3V CMOS Static RAM

4 Meg (512K x 8-bit)

Commercial and Industrial Temperature Ranges

AC Test Conditions

Input Pulse Levels

GND to 3.0V

Input Rise/Fall Times

Input Timing Reference Levels

Output Reference Levels

AC Test Load

1.5ns

1.5V

See Figure 1, 2 and 3

3622 tbl 09

AC Test Loads

3.3V

+1.5V

50Ω

320Ω

I/O

Z0 = 50Ω

OUT

DATA

30pF

5pF*

350Ω

3622 drw 03

3622 drw 04

*Including jig and scope capacitance.

Figure 1. AC Test Load

Figure 2. AC Test Load

(for tCLZ, tOLZ, tCHZ, tOHZ, tOW, and tWHZ)

•

ΔtAA,

ACS

(Typical, ns)

•

180

8 20 40 60 80 100 120 140 160

CAPACITANCE (pF)

200

3622 drw 05

Figure 3. Output Capacitive Derating

6.42

1 2 345 6 7...9

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