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71V3557SA85BQ

更新时间: 2024-02-17 18:17:00
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 523K
描述
ZBT SRAM, 128KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165

71V3557SA85BQ 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:13 X 15 MM, FBGA-165
针数:165Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.58最长访问时间:8.5 ns
其他特性:FLOW-THROUGH ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK):90 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PBGA-B165
JESD-609代码:e0长度:15 mm
内存密度:4718592 bit内存集成电路类型:ZBT SRAM
内存宽度:36湿度敏感等级:3
功能数量:1端子数量:165
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX36
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TBGA封装等效代码:BGA165,11X15,40
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大待机电流:0.04 A
最小待机电流:3.14 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.225 mA最大供电电压 (Vsup):3.465 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式:BALL端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:13 mm

71V3557SA85BQ 数据手册

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IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with  
ZBT™ Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs  
Commercial and Industrial Temperature Ranges  
Functional Block Diagram — 128K x 36  
LBO  
128K x 36 BIT  
MEMORY ARRAY  
Address A [0:16]  
D
D
Q
Q
Address  
1, CE2  
CE  
2
CE  
R/W  
Control  
CEN  
ADV/LD  
BWx  
DI  
DO  
D
Q
Control Logic  
Clk  
Mux  
Sel  
Clock  
Gate  
OE  
TMS  
TDI  
TCK  
Data I/O [0:31], I/O P[1:4]  
,
JTAG  
(SA Version)  
TDO  
5282 drw 01  
TRST  
(optional)  
6.42  
3

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